原始标题：共线反铁磁铁首先显示出异常的大厅效应。由东京，日本大学和美国约翰·霍普金斯大学主持的国际研究小组，发现了影响界线反铁磁铁的异常大厅。这一发现不仅挑战了解释大厅异常影响的理论框架，而且还扩大了可用于信息技术中的反铁磁铁的范围。研究结果最近发表了《自然通讯》杂志。
在传统的理论框架中，大厅的异常影响被认为是铁磁材料的“专利”。旋转是自然而然的电子的，通常被描述为“向上”或“向下”。在Ferromagnet中，旋转都在两个方向上排列以使材料磁化。这种磁化还可以产生垂直于电流的电压，而没有外部磁场，这是异常效应大厅。相反，抗铁磁铁旋转朝相反的方向排列，有效地抵消了磁化。因此，从理论上讲，抗铁磁体中的异常效应不会出现。但是，事实并非如此。
科学家以前曾报道说，大厅的异常影响出现在特定类型的共线抗铁磁铁中，但观察到的信号极为脆弱。因此，确定真正的无磁化异常效果是科学和技术上的重要性。
目前，研究人员将金属二硫化物材料的转移作为二维结构单元。通过将磁离子输入原子层的视觉，研究人员控制电子的运动和相互作用。修订后的三维结构有可能显示出在二维状态下不可能发生的新行为。
最终观察结果表明，该材料显示出T的稳定和异常作用他在宽温度区域（包括室温）和强磁场环境中举行。这是科学家观察到影响共线抗铁磁铁的异常大厅的第一个证据。
大厅的异常影响通常被认为伴随着磁化，因此该搜索表明它背后可能存在超过一般理解的因素。研究人员认为，ISIT的电子带的独特结构可以产生一个大型的“虚拟磁场”，从而改善了异常对不磁化状态的影响。
接下来，研究人员计划通过实验证据来确认这一假设，并使用拉曼光谱等技术进行一系列后续研究以发现其潜在的机制。 （记者Zhang Jiaxin）
（编辑：Hao Mengjia，Li Fang）
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